Use of x-ray reflectivity techniques to determine structural parameters of some silicide structures for microelectronics applications

Santucci, Sandro; la Cecilia AV,; Phani, Ar; Alfonsetti, R; Moccia, G; De Biase, M.

doi:10.1063/1.125653

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Use of x-ray reflectivity techniques to determine structural parameters of some silicide structures for microelectronics applications / Santucci S; la Cecilia AV; Phani AR; Alfonsetti R; Moccia G; De Biase M. - In: APPLIED PHYSICS LETTERS. - ISSN 0003-6951. - 76:1(2000), pp. 52-54.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: http://hdl.handle.net/11697/10335

Titolo:	Use of x-ray reflectivity techniques to determine structural parameters of some silicide structures for microelectronics applications
Autori:	SANTUCCI, Sandro la Cecilia AV Phani AR Alfonsetti R Moccia G De Biase M. mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Data di pubblicazione:	2000
Rivista:	APPLIED PHYSICS LETTERS
Handle:	http://hdl.handle.net/11697/10335
Appare nelle tipologie:	1.1 Articolo in rivista

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