Compositional characterization of very thin SiO2/Si3N4/SiO2 stacked films by XPS using the ''Auger parameter method''

Santucci, S; Lozzi, L; Passacantando, M; Picozzi, P; Alfonsetti, R; Fama, F; Moccia, G

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Compositional characterization of very thin SiO2/Si3N4/SiO2 stacked films by XPS using the ''Auger parameter method'' / Santucci S; Lozzi L; Passacantando M; Picozzi P; Alfonsetti R; Fama F; Moccia G. - In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIA PROCEEDINGS. - ISSN 0272-9172. - 382(1995), pp. 437-442.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: http://hdl.handle.net/11697/11150

Titolo:	Compositional characterization of very thin SiO2/Si3N4/SiO2 stacked films by XPS using the ''Auger parameter method''
Autori interni:	LOZZI, Luca PASSACANTANDO, MAURIZIO
Data di pubblicazione:	1995
Rivista:	MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIA PROCEEDINGS
Handle:	http://hdl.handle.net/11697/11150
Appare nelle tipologie:	1.1 Articolo in rivista

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