Origin, symmetry, and temperature dependence of the perturbation induced by Si extrinsic defects on the Sn/Si(111)alpha surface: A scanning tunnelling 
microscope study

Ottaviano, L.; Crivellari, M.; Profeta, G.; Continenza, A; Lozzi, L.; Santucci, S.

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Origin, symmetry, and temperature dependence of the perturbation induced by Si extrinsic defects on the Sn/Si(111)alpha surface: A scanning tunnelling microscope study / OTTAVIANO L.; CRIVELLARI M.; PROFETA G.; CONTINENZA A; LOZZI L.; SANTUCCI S.. - In: JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY. A. VACUUM, SURFACES, AND FILMS. - ISSN 0734-2101. - 18(2000), pp. 1946-1949.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: http://hdl.handle.net/11697/14867

Titolo:	Origin, symmetry, and temperature dependence of the perturbation induced by Si extrinsic defects on the Sn/Si(111)alpha surface: A scanning tunnelling microscope study
Autori interni:	CONTINENZA, Alessandra PROFETA, Gianni
Data di pubblicazione:	2000
Rivista:	JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY. A. VACUUM, SURFACES, AND FILMS
Handle:	http://hdl.handle.net/11697/14867
Appare nelle tipologie:	1.1 Articolo in rivista

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