Defect induced perturbation on the Sn/Si(111) $alpha$--surface:
a voltage dependent STM study

Ottaviano, L.; Profeta, Gianni; Continenza, Alessandra; Santucci, S.; Freeman, A. J.; Modesti, S.

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Defect induced perturbation on the Sn/Si(111) $alpha$--surface: a voltage dependent STM study / OTTAVIANO L.; PROFETA G.; CONTINENZA A; SANTUCCI S.; FREEMAN A.J.; MODESTI S.. - 464(2000), pp. 57-67.

Titolo:	Defect induced perturbation on the Sn/Si(111) $alpha$--surface: a voltage dependent STM study
Autori:	OTTAVIANO, LUCA PROFETA, Gianni CONTINENZA, Alessandra SANTUCCI S. FREEMAN A. J. MODESTI S. mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Data di pubblicazione:	2000
Rivista:	SURFACE SCIENCE
Handle:	http://hdl.handle.net/11697/14868
Appare nelle tipologie:	1.1 Articolo in rivista

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