Attenzione: i dati modificati non sono ancora stati salvati. Per confermare inserimenti o cancellazioni di voci è necessario confermare con il tasto SALVA/INSERISCI in fondo alla pagina
IRIS
The surface stoichiometry of SiO(x) thin films (x = 1-2) has been studied by means of X-ray photoelectron spectroscopy. The presence of three Si oxidation states (SiO2, SiO, Si2O3) has been observed through an analysis of the Si2p line shape and the intensity variation of these different silicon oxide signals, as a function of the oxygen content, has been followed. The calculated stoichiometry has been compared with that obtained using the modified Auger parameter method. The good agreement between these results supports the validity of the modified Auger parameter as an easy and fast method to know the surface stoichiometry of SiO(x) films.
The surface stoichiometry of SiO(x) thin films (x = 1-2) has been studied by means of X-ray photoelectron spectroscopy. The presence of three Si oxidation states (SiO2, SiO, Si2O3) has been observed through an analysis of the Si2p line shape and the intensity variation of these different silicon oxide signals, as a function of the oxygen content, has been followed. The calculated stoichiometry has been compared with that obtained using the modified Auger parameter method. The good agreement between these results supports the validity of the modified Auger parameter as an easy and fast method to know the surface stoichiometry of SiO(x) films.
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.
Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: http://hdl.handle.net/11697/15605
Citazioni
ND
219
214
social impact
simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2021-2023 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
