Compositional characterization of very thin SiO2/Si3N4/SiO2 stacked films by XPS and TOF-SIMS techniques

Santucci, S.; Lozzi, L.; Ottaviano, L; Passacantando, M.; Picozzi, P.; Moccia, G.; Alfonsetti, R.; Giacomo, A. DI; Pfiorani, AND P.FIORANI

doi:10.1116/1.580730

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Compositional characterization of very thin SiO2/Si3N4/SiO2 stacked films by XPS and TOF-SIMS techniques / S. SANTUCCI; L. LOZZI; OTTAVIANO L; M. PASSACANTANDO; P. PICOZZI; G. MOCCIA; R. ALFONSETTI; A. DI GIACOMO; AND P.FIORANI. - In: JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY. A. VACUUM, SURFACES, AND FILMS. - ISSN 0734-2101. - 15:3(1997), pp. 905-910.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: http://hdl.handle.net/11697/1630

Titolo:	Compositional characterization of very thin SiO2/Si3N4/SiO2 stacked films by XPS and TOF-SIMS techniques
Autori interni:	OTTAVIANO, LUCA PASSACANTANDO, MAURIZIO
Data di pubblicazione:	1997
Rivista:	JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY. A. VACUUM, SURFACES, AND FILMS
Handle:	http://hdl.handle.net/11697/1630
Appare nelle tipologie:	1.1 Articolo in rivista

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