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EnglishThe deposition of Si and Ge on single-crystal 2212 BiCaSrCuO was studied with synchrotron-radiation photoemission. Contrary to previous results on polycrystalline substrates, clear evidence was found for substitutional reactions involving Bi. RI Margaritondo, Giorgio/B-1367-2008
| Titolo: | BICASRCUO-SEMICONDUCTOR INTERFACE FORMATION PROCESSES | |
| Autori: | ||
| Data di pubblicazione: | 1991 | |
| Rivista: | ||
| Abstract: | The deposition of Si and Ge on single-crystal 2212 BiCaSrCuO was studied with synchrotron-radiation photoemission. Contrary to previous results on polycrystalline substrates, clear evidence was found for substitutional reactions involving Bi. RI Margaritondo, Giorgio/B-1367-2008 | |
| Handle: | http://hdl.handle.net/11697/3322 | |
| Appare nelle tipologie: | 1.1 Articolo in rivista |
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