BICASRCUO-SEMICONDUCTOR INTERFACE FORMATION PROCESSES

Hwu, Y; Lozzi, L; Larosa, S; Marsi, M; Onellion, M; Berger, H; Gozzo, F; Levy, F; Margaritondo, G

doi:10.1016/0038-1098(91)90245-Q

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The deposition of Si and Ge on single-crystal 2212 BiCaSrCuO was studied with synchrotron-radiation photoemission. Contrary to previous results on polycrystalline substrates, clear evidence was found for substitutional reactions involving Bi. RI Margaritondo, Giorgio/B-1367-2008

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: http://hdl.handle.net/11697/3322

Titolo:	BICASRCUO-SEMICONDUCTOR INTERFACE FORMATION PROCESSES
Autori interni:	LOZZI, Luca
Data di pubblicazione:	1991
Rivista:	SOLID STATE COMMUNICATIONS
Abstract:	The deposition of Si and Ge on single-crystal 2212 BiCaSrCuO was studied with synchrotron-radiation photoemission. Contrary to previous results on polycrystalline substrates, clear evidence was found for substitutional reactions involving Bi. RI Margaritondo, Giorgio/B-1367-2008
Handle:	http://hdl.handle.net/11697/3322
Appare nelle tipologie:	1.1 Articolo in rivista

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