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EnglishEffect of Thermal Annealing on the Electronic Properties of Nitrogen Doped Amorphous Carbon/p-Type Crystalline Silicon Heterojunction Diodes / Valentini L; Lozzi L; Salerni V; Armentano I; Kenny JM; Santucci S. - In: JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY. A, AN INTERNATIONAL JOURNAL DEVOTED TO VACUUM, SURFACES, AND FILMS. - ISSN 1553-1813. - 21:3(2003), pp. 582-588.
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http://hdl.handle.net/11697/6490| Titolo: | Effect of Thermal Annealing on the Electronic Properties of Nitrogen Doped Amorphous Carbon/p-Type Crystalline Silicon Heterojunction Diodes |
| Autori interni: | LOZZI, Luca SANTUCCI, Sandro |
| Data di pubblicazione: | 2003 |
| Rivista: | JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY. A, AN INTERNATIONAL JOURNAL DEVOTED TO VACUUM, SURFACES, AND FILMS |
| Handle: | http://hdl.handle.net/11697/6490 |
| Appare nelle tipologie: | 1.1 Articolo in rivista |
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