Effect of Thermal Annealing on the Electronic Properties of Nitrogen Doped Amorphous Carbon/p-Type Crystalline Silicon Heterojunction Diodes

Valentini, L; Lozzi, Luca; Salerni, V; Armentano, I; Kenny, Jm; Santucci, Sandro

doi:10.1116/1.1562477

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Effect of Thermal Annealing on the Electronic Properties of Nitrogen Doped Amorphous Carbon/p-Type Crystalline Silicon Heterojunction Diodes / Valentini L; Lozzi L; Salerni V; Armentano I; Kenny JM; Santucci S. - In: JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY. A, AN INTERNATIONAL JOURNAL DEVOTED TO VACUUM, SURFACES, AND FILMS. - ISSN 1553-1813. - 21:3(2003), pp. 582-588.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: http://hdl.handle.net/11697/6490

Titolo:	Effect of Thermal Annealing on the Electronic Properties of Nitrogen Doped Amorphous Carbon/p-Type Crystalline Silicon Heterojunction Diodes
Autori:	Valentini L LOZZI, Luca Salerni V Armentano I Kenny JM SANTUCCI, Sandro mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Data di pubblicazione:	2003
Rivista:	JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY. A, AN INTERNATIONAL JOURNAL DEVOTED TO VACUUM, SURFACES, AND FILMS
Handle:	http://hdl.handle.net/11697/6490
Appare nelle tipologie:	1.1 Articolo in rivista

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