Atomically precise semiconductor---graphene and hBN interfaces by Ge intercalation

Verbitskiy, N. I.; Fedorov, A. V.; Profeta, Gianni; Stroppa, Alessandro; Petaccia, L.; Senkovskiy, B.; Nefedov, A.; Wöll, C.; Yu Usachov, D. Y. u. Usachov; Vyalikh, D. V.; Yashina, L. V.; Eliseev, A. A.; Pichler, T.; Grüneis, A.

doi:10.1038/srep17700

Atomically precise semiconductor---graphene and hBN interfaces by Ge intercalation

Verbitskiy, N. I.;Fedorov, A. V.;PROFETA, Gianni;STROPPA, ALESSANDRO;Petaccia, L.;Senkovskiy, B.;Nefedov, A.;Wöll, C.;Yu Usachov, D. Y.u. Usachov;Vyalikh, D. V.;Yashina, L. V.;Eliseev, A. A.;Pichler, T.;Grüneis, A.

2015-01-01

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	Anno
	
				2015
			
	Rivista
	
				SCIENTIFIC REPORTS
			
	Codice DOI
	
				https://dx.doi.org/10.1038/srep17700
			
	Appare nelle tipologie:
	
				1.1 Articolo in rivista

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Atomically precise semiconductor---graphene and hBN interfaces by Ge intercalation

Verbitskiy, N. I.;Fedorov, A. V.;PROFETA, Gianni;STROPPA, ALESSANDRO;Petaccia, L.;Senkovskiy, B.;Nefedov, A.;Wöll, C.;Yu Usachov, D. Y.u. Usachov;Vyalikh, D. V.;Yashina, L. V.;Eliseev, A. A.;Pichler, T.;Grüneis, A.

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