Compositional and electrical characterization of SiO2/Si3N4/SiO2 (ONO) stacked films grown onto silicon substrates and submitted to annealing by Hydrogen
L. LOZZI;OTTAVIANO, LUCA;
1997-01-01
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
Pubblicazioni consigliate
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.